Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 20 V 230mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
Производитель | Diodes Incorporated | |
RoHS | 1 | |
Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Тип крепления | Surface Mount | |
Пакет устройств поставщика | X2-DFN1006-3 | |
Базовый номер продукта | DMN26 | |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
Ряд | - | |
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 230mA (Ta) | |
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.5V, 4.5V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 100mA, 4.5V | |
Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.1V @ 250µA | |
Полевой транзистор | - | |
Пакет/кейс | 3-XFDFN | |
VGS (макс.) | ±10V | |
Тип полевого транзистора | N-Channel | |
Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 14.1 pF @ 15 V | |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 350mW (Ta) | |
Другие имена | DMN26D0UFB4-7DICT DMN26D0UFB4-7DIDKR DMN26D0UFB47 DMN26D0UFB4-7DITR |
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.