IRF100S201

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK

НОВА часть #:

312-2288799-IRF100S201

Производитель:

Номер детали производителя:

IRF100S201

Стандартный пакет:

800

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 100 V 192A (Tc) 441W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO263-3
Базовый номер продукта	IRF100
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	HEXFET®, StrongIRFET™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	192A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2mOhm @ 115A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	255 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	9500 pF @ 50 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	441W (Tc)
Другие имена	IRF100S201CT IRF100S201-ND SP001550868 IFEINFIRF100S201 IRF100S201TR IRF100S201DKR 2156-IRF100S201