SIA469DJ-T1-GE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6

НОВА часть #:

312-2284800-SIA469DJ-T1-GE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SIA469DJ-T1-GE3

Стандартный пакет:

3,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

P-Channel 30 V 12A (Tc) 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® SC-70-6 Single
Базовый номер продукта	SIA469
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	TrenchFET® Gen III
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	12A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26.5mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	15 nC @ 4.5 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	PowerPAK® SC-70-6
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	30 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1020 pF @ 15 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	15.6W (Tc)
Другие имена	SIA469DJ-T1-GE3CT SIA469DJ-T1-GE3TR SIA469DJ-T1-GE3DKR