SI2301BDS-T1-E3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3

НОВА часть #:

312-2281869-SI2301BDS-T1-E3

Производитель:

Номер детали производителя:

SI2301BDS-T1-E3

Стандартный пакет:

3,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

P-Channel 20 V 2.2A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	SOT-23-3 (TO-236)
Базовый номер продукта	SI2301
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	2.2A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ Id	950mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	10 nC @ 4.5 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
VGS (макс.)	±8V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	20 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	375 pF @ 6 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	700mW (Ta)
Другие имена	SI2301BDS-T1-E3DKR SI2301BDS-T1-E3CT SI2301BDS-T1-E3TR SI2301BDST1E3