SCTH90N65G2V-7

SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7
НОВА часть #:
312-2283890-SCTH90N65G2V-7
Производитель:
Номер детали производителя:
SCTH90N65G2V-7
Стандартный пакет:
1,000
Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

N-Channel 650 V 90A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount H2PAK-7

More Information
КатегорияТранзисторы - FET, MOSFET - Single
ПроизводительSTMicroelectronics
RoHS 1
УпаковкаTape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепленияSurface Mount
Пакет устройств поставщика H2PAK-7
Базовый номер продукта SCTH90
ТехнологииSiCFET (Silicon Carbide)
Ряд-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C 90A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 50A, 18V
Vgs(th) (макс.) @ Id 5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs 157 nC @ 18 V
Полевой транзистор-
Пакет/кейсTO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
VGS (макс.)+22V, -10V
Тип полевого транзистораN-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)650 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 3300 pF @ 400 V
Рассеиваемая мощность (макс.) 330W (Tc)
Другие имена497-18352-6
497-18352-2
497-18352-1

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!