Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
SI4435DYTRPBF
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
НОВА часть #:
312-2280352-SI4435DYTRPBF
Производитель:
Номер детали производителя:
SI4435DYTRPBF
Стандартный пакет:
4,000
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
P-Channel 30 V 8A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-SO | |
| Базовый номер продукта | SI4435 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | HEXFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 8A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 8A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 60 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2320 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta) | |
| Другие имена | SI4435DYPBFTR SI4435DYPBFCT SI4435DYPBFDKR SP001573756 *SI4435DYTRPBF |
In stock Нужно больше?
0,72870 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
RS3E075ATTBRohm Semiconductor
SI4435DYonsemi
SI4435DDY-T1-E3Vishay Siliconix
