Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
IPN80R900P7ATMA1
MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223
НОВА часть #:
312-2288071-IPN80R900P7ATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IPN80R900P7ATMA1
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 800 V 6A (Tc) 7W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-SOT223 | |
| Базовый номер продукта | IPN80R900 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | CoolMOS™ P7 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 6A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 2.2A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.5V @ 110µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-261-4, TO-261AA | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 800 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 350 pF @ 500 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 7W (Tc) | |
| Другие имена | SP001665000 IPN80R900P7ATMA1CT IPN80R900P7ATMA1-ND IPN80R900P7ATMA1TR IPN80R900P7ATMA1DKR |
In stock Нужно больше?
1,18850 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IPN80R750P7ATMA1Infineon Technologies- IPN80R4K5P7ATMA1Infineon Technologies
- IPN80R600P7ATMA1Infineon Technologies
- IPN80R1K2P7ATMA1Infineon Technologies
