Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
SQSA12CENW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
НОВА часть #:
312-2296770-SQSA12CENW-T1_GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SQSA12CENW-T1_GE3
Стандартный пакет:
3,000
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 100 V 18A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8W
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® 1212-8W | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 18A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 7A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 47 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® 1212-8W | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2900 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 62.5W (Tc) | |
| Другие имена | 742-SQSA12CENW-T1_GE3DKR 742-SQSA12CENW-T1_GE3TR 742-SQSA12CENW-T1_GE3CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SQSA80ENW-T1_GE3Vishay Siliconix
BSZ146N10LS5ATMA1Infineon Technologies
SQJ402EP-T1_GE3Vishay Siliconix
SQ3481EV-T1_GE3Vishay Siliconix
RSJ250P10FRATLRohm Semiconductor
SISH892BDN-T1-GE3Vishay Siliconix
RD3H160SPFRATLRohm Semiconductor
AONR66922Alpha & Omega Semiconductor Inc.
