Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
P-Channel 20 V 780mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
Производитель | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Тип крепления | Surface Mount | |
Пакет устройств поставщика | Micro3™/SOT-23 | |
Базовый номер продукта | IRLML6302 | |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
Ряд | HEXFET® | |
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 780mA (Ta) | |
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 2.7V, 4.5V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 610mA, 4.5V | |
Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 3.6 nC @ 4.45 V | |
Полевой транзистор | - | |
Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
VGS (макс.) | ±12V | |
Тип полевого транзистора | P-Channel | |
Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 97 pF @ 15 V | |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 540mW (Ta) | |
Другие имена | IRLML6302GTRPBF SP001574060 IRLML6302PBFDKR *IRLML6302TRPBF IRLML6302GTRPBFCT IRLML6302GTRPBFTR IRLML6302GTRPBFTR-ND IRLML6302GTRPBF-ND IRLML6302PBFTR SP001550492 IRLML6302GTRPBFCT-ND IRLML6302PBFCT |
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.