TPW1R306PL,L1Q

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 60V 260A 8DSOP

НОВА часть #:

312-2282848-TPW1R306PL,L1Q

Производитель:

Номер детали производителя:

TPW1R306PL,L1Q

Стандартный пакет:

5,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 60 V 260A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	175°C
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	8-DSOP Advance
Базовый номер продукта	TPW1R306
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	U-MOSIX-H
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	260A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.29mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	91 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerWDFN
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	60 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	8100 pF @ 30 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	960mW (Ta), 170W (Tc)
Другие имена	TPW1R306PLL1QCT TPW1R306PLL1QDKR TPW1R306PLL1QTR TPW1R306PL,L1Q(M