EPC2021

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

GANFET N-CH 80V 90A DIE

НОВА часть #:

312-2263144-EPC2021

Производитель:

Номер детали производителя:

EPC2021

Стандартный пакет:

1,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

N-Channel 80 V 90A (Ta) - Surface Mount Die

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	EPC
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	Die
Технологии	GaNFET (Gallium Nitride)
Ряд	eGaN®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	90A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.5V @ 14mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	15 nC @ 5 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	Die
VGS (макс.)	+6V, -4V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	80 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1650 pF @ 40 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	-
Другие имена	917-1089-1 917-1089-2 917-1089-6