Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
FQD2N90TM
MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
НОВА часть #:
312-2263577-FQD2N90TM
Производитель:
Номер детали производителя:
FQD2N90TM
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 900 V 1.7A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252AA | |
| Базовый номер продукта | FQD2N90 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | QFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 1.7A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2Ohm @ 850mA, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±30V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 900 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 500 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) | |
| Другие имена | FQD2N90TMTR FQD2N90TM-ND FQD2N90TMCT FQD2N90TMDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IPD95R2K0P7ATMA1Infineon Technologies
STD3NK90ZT4STMicroelectronics- STD4N90K5STMicroelectronics
