Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
IRLD120PBF
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
НОВА часть #:
312-2288790-IRLD120PBF
Производитель:
Номер детали производителя:
IRLD120PBF
Стандартный пакет:
100
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 100 V 1.3A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | 4-HVMDIP | |
| Базовый номер продукта | IRLD120 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 1.3A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4V, 5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 780mA, 5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 12 nC @ 5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | |
| VGS (макс.) | ±10V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 490 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.3W (Ta) | |
| Другие имена | *IRLD120PBF |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
ECS-73-20-4XECS Inc.
1825360-3TE Connectivity ALCOSWITCH Switches
151034BS03000Würth Elektronik
MCP2221A-I/PMicrochip Technology
PTS645VK83-2 LFSC&K- MCP6004-I/PMicrochip Technology
MCP1702-3302E/TOMicrochip Technology
CT6EX103Nidec Copal Electronics
