Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
TK2R4E08QM,S1X
UMOS10 TO-220AB 80V 2.4MOHM
НОВА часть #:
312-2270919-TK2R4E08QM,S1X
Производитель:
Номер детали производителя:
TK2R4E08QM,S1X
Стандартный пакет:
50
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 80 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | 175°C | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-220 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | U-MOSX-H | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 120A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.44mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.5V @ 2.2mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 178 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-220-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 80 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 13000 pF @ 40 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 300W (Tc) | |
| Другие имена | TK2R4E08QM,S1X(S 264-TK2R4E08QMS1X 264-TK2R4E08QM,S1X 264-TK2R4E08QM,S1X-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
TK2R4A08QM,S4XToshiba Semiconductor and Storage
