SI3499DV-T1-GE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 8V 5.3A 6TSOP

НОВА часть #:

312-2285660-SI3499DV-T1-GE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SI3499DV-T1-GE3

Стандартный пакет:

3,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

P-Channel 8 V 5.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	6-TSOP
Базовый номер продукта	SI3499
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	5.3A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ Id	750mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	42 nC @ 4.5 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
VGS (макс.)	±5V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	8 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	1.1W (Ta)
Другие имена	SI3499DV-T1-GE3-ND SI3499DVT1GE3 SI3499DV-T1-GE3TR SI3499DV-T1-GE3CT SI3499DV-T1-GE3DKR