IPW60R045P7XKSA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 650V 61A TO247-3-41

НОВА часть #:

312-2299394-IPW60R045P7XKSA1

Производитель:

Номер детали производителя:

IPW60R045P7XKSA1

Стандартный пакет:

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 650 V 61A (Tc) 201W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Through Hole
Пакет устройств поставщика	PG-TO247-3-41
Базовый номер продукта	IPW60R045
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	CoolMOS™ P7
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	61A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 1.08mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	90 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-247-3
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	650 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	3891 pF @ 400 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	201W (Tc)
Другие имена	SP001866186 448-IPW60R045P7XKSA1