NP50P06KDG-E1-AY

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 60V 50A TO263

НОВА часть #:

312-2288706-NP50P06KDG-E1-AY

Производитель:

Номер детали производителя:

NP50P06KDG-E1-AY

Стандартный пакет:

800

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

P-Channel 60 V 50A (Tc) 1.8W (Ta), 90W (Tc) Surface Mount TO-263

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Renesas Electronics America Inc
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	TO-263
Базовый номер продукта	NP50P06
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	50A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	95 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	60 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	5000 pF @ 10 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	1.8W (Ta), 90W (Tc)
Другие имена	559-NP50P06KDG-E1-AYCT 559-NP50P06KDG-E1-AYTR 559-NP50P06KDG-E1-AYDKR NP50P06KDG-E1-AY-ND -1161-NP50P06KDG-E1-AYCT