DMNH10H028SPSQ-13

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8

НОВА часть #:

312-2273309-DMNH10H028SPSQ-13

Производитель:

Номер детали производителя:

DMNH10H028SPSQ-13

Стандартный пакет:

2,500

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 100 V 40A (Tc) 1.6W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Diodes Incorporated
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerDI5060-8
Базовый номер продукта	DMNH10
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	40A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	28mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	36 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerTDFN
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	2245 pF @ 50 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	1.6W (Ta)
Другие имена	DMNH10H028SPSQ-13DIDKR DMNH10H028SPSQ-13DICT DMNH10H028SPSQ-13DITR