SISA96DN-T1-GE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8

НОВА часть #:

312-2284578-SISA96DN-T1-GE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SISA96DN-T1-GE3

Стандартный пакет:

3,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 30 V 16A (Tc) 26.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® 1212-8
Базовый номер продукта	SISA96
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	TrenchFET® Gen IV
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	16A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.8mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	15 nC @ 4.5 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	PowerPAK® 1212-8
VGS (макс.)	+20V, -16V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	30 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1385 pF @ 15 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	26.5W (Tc)
Другие имена	SISA96DN-T1-GE3TR SISA96DN-T1-GE3DKR SISA96DN-T1-GE3CT

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!