SI9407BDY-T1-GE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO

НОВА часть #:

312-2282819-SI9407BDY-T1-GE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SI9407BDY-T1-GE3

Стандартный пакет:

2,500

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

P-Channel 60 V 4.7A (Tc) 2.4W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	8-SOIC
Базовый номер продукта	SI9407
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	4.7A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	22 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	60 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	600 pF @ 30 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.4W (Ta), 5W (Tc)
Другие имена	SI9407BDY-T1-GE3DKR SI9407BDY-T1-GE3CT SI9407BDYT1GE3 Q6936817FJ SI9407BDY-T1-GE3TR