BSP318SH6327XTSA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4

НОВА часть #:

312-2285534-BSP318SH6327XTSA1

Производитель:

Номер детали производителя:

BSP318SH6327XTSA1

Стандартный пакет:

1,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 60 V 2.6A (Tj) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-SOT223-4
Базовый номер продукта	BSP318
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	SIPMOS®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	2.6A (Tj)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2V @ 20µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	20 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-261-4, TO-261AA
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	60 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	380 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	1.8W (Ta)
Другие имена	BSP318SH6327XTSA1DKR BSP318SH6327XTSA1-ND BSP318SH6327XTSA1CT SP001058838 BSP318SH6327XTSA1TR