TPN2010FNH,L1Q

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON

НОВА часть #:

312-2287930-TPN2010FNH,L1Q

Производитель:

Номер детали производителя:

TPN2010FNH,L1Q

Стандартный пакет:

5,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 250 V 5.6A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	8-TSON Advance (3.1x3.1)
Базовый номер продукта	TPN2010
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	U-MOSVIII-H
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	5.6A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	198mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 200µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	7 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerVDFN
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	250 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	600 pF @ 100 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	700mW (Ta), 39W (Tc)
Другие имена	TPN2010FNHL1QCT TPN2010FNHL1QTR TPN2010FNH,L1Q(M TPN2010FNHL1QDKR