SI8800EDB-T2-E1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT

НОВА часть #:

312-2263342-SI8800EDB-T2-E1

Производитель:

Номер детали производителя:

SI8800EDB-T2-E1

Стандартный пакет:

3,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 20 V 2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	4-Microfoot
Базовый номер продукта	SI8800
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	2A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ Id	1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	8.3 nC @ 8 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	4-XFBGA, CSPBGA
VGS (макс.)	±8V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	20 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	500mW (Ta)
Другие имена	SI8800EDB-T2-E1CT SI8800EDB-T2-E1DKR SI8800EDB-T2-E1TR SI8800EDBT2E1