Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
IXTH80N65X2
MOSFET N-CH 650V 80A TO247
НОВА часть #:
312-2291212-IXTH80N65X2
Производитель:
Номер детали производителя:
IXTH80N65X2
Стандартный пакет:
30
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 650 V 80A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-247 (IXTH) | |
| Базовый номер продукта | IXTH80 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Ultra X2 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 80A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 40A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.5V @ 4mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 144 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-247-3 | |
| VGS (макс.) | ±30V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 7753 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 890W (Tc) |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IXFH34N65X2IXYS- IXFH80N65X2IXYS
