Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
IPD65R380E6ATMA1
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
НОВА часть #:
312-2263548-IPD65R380E6ATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IPD65R380E6ATMA1
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 650 V 10.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO252-3 | |
| Базовый номер продукта | IPD65R380 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | CoolMOS™ E6 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 10.6A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 3.2A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.5V @ 320µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 39 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 710 pF @ 100 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 83W (Tc) | |
| Другие имена | 448-IPD65R380E6ATMA1CT SP001117736 448-IPD65R380E6ATMA1DKR IPD65R380E6ATMA1-ND 448-IPD65R380E6ATMA1TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IPD65R380E6Infineon Technologies
MB85RS4MTPF-G-JNERE2Fujitsu Semiconductor
ECS-3953M-800-B-TRECS Inc.
ABS07-120-32.768KHZ-TAbracon LLC
