SIDR680DP-T1-GE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 80V 32.8A/100A PPAK

НОВА часть #:

312-2288551-SIDR680DP-T1-GE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SIDR680DP-T1-GE3

Стандартный пакет:

3,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 80 V 32.8A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® SO-8DC
Базовый номер продукта	SIDR680
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	TrenchFET® Gen IV
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	32.8A (Ta), 100A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	3.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	105 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	PowerPAK® SO-8
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	80 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	5150 pF @ 40 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	6.25W (Ta), 125W (Tc)
Другие имена	SIDR680DP-T1-GE3CT SIDR680DP-T1-GE3TR SIDR680DP-T1-GE3DKR