SI4090BDY-T1-GE3

N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SO-
НОВА часть #:
312-2296312-SI4090BDY-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI4090BDY-T1-GE3
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

N-Channel 100 V 12.2A (Ta), 18.7A (Tc) 3.1W (Ta), 7.4W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

More Information
КатегорияТранзисторы - FET, MOSFET - Single
ПроизводительVishay Siliconix
RoHS 1
УпаковкаTape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепленияSurface Mount
Пакет устройств поставщика 8-SOIC
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
РядTrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C 12.2A (Ta), 18.7A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 12.2A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id 4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs 70 nC @ 10 V
Полевой транзистор-
Пакет/кейс8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
VGS (макс.)±20V
Тип полевого транзистораN-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 3570 pF @ 50 V
Рассеиваемая мощность (макс.) 3.1W (Ta), 7.4W (Tc)
Другие имена742-SI4090BDY-T1-GE3DKR
742-SI4090BDY-T1-GE3TR
742-SI4090BDY-T1-GE3CT

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.