Альтиум Орел Оркад ПОДУШКИ Кикад 
BUK755R4-100E127
N-CHANNEL POWER MOSFET
НОВА часть #:
312-2296529-BUK755R4-100E127
Производитель:
Номер детали производителя:
BUK755R4-100E127
Стандартный пакет:
1
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 100 V 120A (Tc) 349W (Tc) Through Hole TO-220AB
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Philips | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-220AB | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 120A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 180 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-220-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 11810 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 349W (Tc) | |
| Другие имена | NEXPHIBUK755R4-100E127 2156-BUK755R4-100E127 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.