DMT6009LFG-7

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 60V 11A PWRDI3333

НОВА часть #:

312-2290582-DMT6009LFG-7

Производитель:

Номер детали производителя:

DMT6009LFG-7

Стандартный пакет:

2,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 60 V 11A (Ta), 34A (Tc) 2.08W (Ta), 19.2W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Diodes Incorporated
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerDI3333-8
Базовый номер продукта	DMT6009
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	11A (Ta), 34A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	33.5 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerVDFN
VGS (макс.)	±16V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	60 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1925 pF @ 30 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.08W (Ta), 19.2W (Tc)
Другие имена	DMT6009LFG-7DIDKR DMT6009LFG-7DITR DMT6009LFG-7DICT