BSZ088N03MSGATMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 30V 11A/40A 8TSDSON

НОВА часть #:

312-2290498-BSZ088N03MSGATMA1

Производитель:

Номер детали производителя:

BSZ088N03MSGATMA1

Стандартный пакет:

5,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 30 V 11A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TSDSON-8
Базовый номер продукта	BSZ088
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	OptiMOS™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	11A (Ta), 40A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	27 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerTDFN
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	30 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	2100 pF @ 15 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.1W (Ta), 35W (Tc)
Другие имена	BSZ088N03MSGINCT BSZ088N03MSGATMA1TR BSZ088N03MSGXT IFEINFBSZ088N03MSGATMA1 2156-BSZ088N03MSGATMA1 BSZ088N03MSGINTR BSZ088N03MSGINTR-ND BSZ088N03MSGINDKR BSZ088N03MSG SP000311509 BSZ088N03MSGINCT-ND BSZ088N03MSGATMA1DKR BSZ088N03MSGINDKR-ND BSZ088N03MS G BSZ088N03MSGATMA1CT