FDD306P

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252

НОВА часть #:

312-2282454-FDD306P

Производитель:

Номер детали производителя:

FDD306P

Стандартный пакет:

2,500

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

P-Channel 12 V 6.7A (Ta) 52W (Ta) Surface Mount TO-252AA

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	onsemi
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	TO-252AA
Базовый номер продукта	FDD306
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	PowerTrench®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	6.7A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	28mOhm @ 6.7A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ Id	1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	21 nC @ 4.5 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VGS (макс.)	±8V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	12 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1290 pF @ 6 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	52W (Ta)
Другие имена	FDD306P-ND 2156-FDD306P-OS ONSONSFDD306P FDD306PTR FDD306PDKR FDD306PCT