Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
C2M0280120D
SICFET N-CH 1200V 10A TO247-3
НОВА часть #:
312-2289854-C2M0280120D
Производитель:
Номер детали производителя:
C2M0280120D
Стандартный пакет:
30
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 1200 V 10A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole TO-247-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Wolfspeed, Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-247-3 | |
| Базовый номер продукта | C2M0280120 | |
| Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Ряд | Z-FET™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 10A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 20V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 370mOhm @ 6A, 20V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.8V @ 1.25mA (Typ) | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 20.4 nC @ 20 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-247-3 | |
| VGS (макс.) | +25V, -10V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 259 pF @ 1000 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 62.5W (Tc) |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
UF3C170400K3SUnitedSiC
UJA1163ATK/0ZNXP USA Inc.
STW12N120K5STMicroelectronics
SCT2280KEGC11Rohm Semiconductor
ITS4300SSJDXUMA1Infineon Technologies
G3R450MT17DGeneSiC Semiconductor
IXFR32N100Q3IXYS
C2M1000170DWolfspeed, Inc.
C3M0160120DWolfspeed, Inc.
LSIC1MO120E0160Littelfuse Inc.
