FQD7N10LTM

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK

НОВА часть #:

312-2263615-FQD7N10LTM

Производитель:

Номер детали производителя:

FQD7N10LTM

Стандартный пакет:

2,500

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 100 V 5.8A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount TO-252AA

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	onsemi
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	TO-252AA
Базовый номер продукта	FQD7N10
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	QFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	5.8A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	350mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	6 nC @ 5 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	290 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.5W (Ta), 25W (Tc)
Другие имена	FQD7N10LTMTR FQD7N10LTMCT FQD7N10LTMDKR FQD7N10LTM-ND