IPT059N15N3ATMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF

НОВА часть #:

312-2283612-IPT059N15N3ATMA1

Производитель:

Номер детали производителя:

IPT059N15N3ATMA1

Стандартный пакет:

2,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 150 V 155A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-HSOF-8-1
Базовый номер продукта	IPT059
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	OptiMOS™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	155A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.9mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 270µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	92 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerSFN
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	150 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	7200 pF @ 75 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	375W (Tc)
Другие имена	SP001100162 2156-IPT059N15N3ATMA1 IPT059N15N3ATMA1DKR IPT059N15N3ATMA1CT IPT059N15N3 IPT059N15N3ATMA1TR -IPT059N15N3ATMA1 IFEINFIPT059N15N3ATMA1