IPB180P04P403ATMA2

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7

НОВА часть #:

312-2297993-IPB180P04P403ATMA2

Производитель:

Номер детали производителя:

IPB180P04P403ATMA2

Стандартный пакет:

1,000

Доступный формат загрузки

Кикад

P-Channel 40 V 180A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO263-7-3
Базовый номер продукта	IPB180
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS®-P2
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.8mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 410µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	250 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	40 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	17640 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	150W (Tc)
Другие имена	448-IPB180P04P403ATMA2TR SP002325764 448-IPB180P04P403ATMA2DKR 448-IPB180P04P403ATMA2CT

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!