SI1416EDH-T1-GE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363

НОВА часть #:

312-2282019-SI1416EDH-T1-GE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SI1416EDH-T1-GE3

Стандартный пакет:

3,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 30 V 3.9A (Tc) 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	SC-70-6
Базовый номер продукта	SI1416
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	3.9A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	58mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	1.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	12 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
VGS (макс.)	±12V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	30 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.8W (Tc)
Другие имена	SI1416EDH-T1-GE3TR SI1416EDH-T1-GE3DKR SI1416EDH-T1-GE3-ND SI1416EDH-T1-GE3CT