Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
STP45N65M5
MOSFET N-CH 650V 35A TO220
НОВА часть #:
312-2283648-STP45N65M5
Производитель:
Номер детали производителя:
STP45N65M5
Стандартный пакет:
50
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 650 V 35A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-220
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-220 | |
| Базовый номер продукта | STP45 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | MDmesh™ V | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 35A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78mOhm @ 19.5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 91 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-220-3 | |
| VGS (макс.) | ±25V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3375 pF @ 100 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 210W (Tc) | |
| Другие имена | 497-12937-5 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
STW45N65M5STMicroelectronics
CSD19531Q5ATTexas Instruments
NTP082N65S3Fonsemi
LMH6642MF/NOPBTexas Instruments
UCC24636DBVRTexas Instruments
IPP60R080P7XKSA1Infineon Technologies
STP57N65M5STMicroelectronics
STTH1003SBY-TRSTMicroelectronics
STWA45N65M5STMicroelectronics- FCP067N65S3onsemi
- STP11NM60FDSTMicroelectronics
