Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
BST82,215
MOSFET N-CH 100V 190MA TO236AB
НОВА часть #:
312-2284788-BST82,215
Производитель:
Номер детали производителя:
BST82,215
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 100 V 190mA (Ta) 830mW (Tc) Surface Mount TO-236AB
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-236AB | |
| Базовый номер продукта | BST82 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 190mA (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 150mA, 5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2V @ 1mA | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 40 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 830mW (Tc) | |
| Другие имена | 568-6229-6-ND 568-6229-2 568-6229-2-ND BST82 T/R 568-6229-1 568-6229-1-ND 1727-4937-2 1727-4937-6 BST82,215-ND 1727-4937-1 BST82 T/R-ND 933733110215 568-6229-6 |
In stock Нужно больше?
0,16810 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BQ7694000DBTTexas Instruments
MMSZ5232BS-7-FDiodes Incorporated
BC847B,215Nexperia USA Inc.
ZXTN19100CZTADiodes Incorporated
MMSZ5246ET1Gonsemi
MMSZ5246B-7-FDiodes Incorporated
BQ78350DBTR-R1ATexas Instruments
BSS123onsemi
FDY1002PZonsemi
FSM4JSMATE Connectivity ALCOSWITCH Switches
ZXMP10A13FTADiodes Incorporated
