SCTWA60N120G2-4

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

НОВА часть #:

312-2297729-SCTWA60N120G2-4

Производитель:

Номер детали производителя:

SCTWA60N120G2-4

Стандартный пакет:

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 1200 V 60A (Tc) 388W (Tc) Through Hole TO-247-4

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	STMicroelectronics
RoHS	1
Рабочая Температура	-55°C ~ 200°C (TJ)
Тип крепления	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-247-4
Технологии	SiCFET (Silicon Carbide)
Ряд	-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	60A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	52mOhm @ 30A, 18V
Vgs(th) (макс.) @ Id	5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	94 nC @ 18 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-247-4
VGS (макс.)	+22V, -10V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	1200 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1969 pF @ 800 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	388W (Tc)
Другие имена	497-SCTWA60N120G2-4