IPB65R045C7ATMA2

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 650V 46A TO263-3

НОВА часть #:

312-2283672-IPB65R045C7ATMA2

Производитель:

Номер детали производителя:

IPB65R045C7ATMA2

Стандартный пакет:

1,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 650 V 46A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO263-3
Базовый номер продукта	IPB65R045
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	CoolMOS™ C7
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	46A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45mOhm @ 24.9A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 1.25mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	93 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	650 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	4340 pF @ 400 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	227W (Tc)
Другие имена	IPB65R045C7ATMA2CT IPB65R045C7ATMA2TR IPB65R045C7ATMA2DKR SP002447548