FQB7P20TM

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK

НОВА часть #:

312-2288468-FQB7P20TM

Производитель:

Номер детали производителя:

FQB7P20TM

Стандартный пакет:

800

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

P-Channel 200 V 7.3A (Tc) 3.13W (Ta), 90W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	onsemi
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	D²PAK (TO-263)
Базовый номер продукта	FQB7P20
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	QFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	7.3A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	690mOhm @ 3.65A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	25 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
VGS (макс.)	±30V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	200 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	770 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	3.13W (Ta), 90W (Tc)
Другие имена	FQB7P20TMDKR FQB7P20TMCT FAIFSCFQB7P20TM FQB7P20TM-ND 2156-FQB7P20TM-OS FQB7P20TMTR