SI4401FDY-T1-GE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 40V 9.9A/14A 8SO

НОВА часть #:

312-2282050-SI4401FDY-T1-GE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SI4401FDY-T1-GE3

Стандартный пакет:

2,500

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

P-Channel 40 V 9.9A (Ta), 14A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SO

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	8-SO
Базовый номер продукта	SI4401
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	TrenchFET® Gen III
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	9.9A (Ta), 14A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.2mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	100 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	40 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	4000 pF @ 20 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.5W (Ta), 5W (Tc)
Другие имена	SI4401FDY-GE3 SI4401FDY-T1-GE3CT SI4401FDY-T1-GE3TR SI4401FDY-T1-GE3DKR