Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
SCTH35N65G2V-7
SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
НОВА часть #:
312-2289877-SCTH35N65G2V-7
Производитель:
Номер детали производителя:
SCTH35N65G2V-7
Стандартный пакет:
1,000
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 650 V 45A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount H2PAK-7
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | H2PAK-7 | |
| Базовый номер продукта | SCTH35 | |
| Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 45A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 18V, 20V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 67mOhm @ 20A, 20V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.2V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 73 nC @ 20 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | |
| VGS (макс.) | +22V, -10V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1370 pF @ 400 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 208W (Tc) | |
| Другие имена | 497-SCTH35N65G2V-7DKR 497-SCTH35N65G2V-7TR 497-SCTH35N65G2V-7CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SCTH35N65G2V-7AGSTMicroelectronics