SQ4425EY-T1_GE3

MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC
НОВА часть #:
312-2278263-SQ4425EY-T1_GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SQ4425EY-T1_GE3
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

P-Channel 30 V 18A (Tc) 6.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

More Information
КатегорияТранзисторы - FET, MOSFET - Single
ПроизводительVishay Siliconix
RoHS 1
УпаковкаTape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепленияSurface Mount
Пакет устройств поставщика 8-SOIC
Базовый номер продукта SQ4425
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
РядAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C 18A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id 2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs 50 nC @ 4.5 V
Полевой транзистор-
Пакет/кейс8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
VGS (макс.)±20V
Тип полевого транзистораP-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)30 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 3630 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.) 6.8W (Tc)
Другие именаSQ4425EY-T1_GE3DKR
SQ4425EY-T1_GE3CT
SQ4425EY-T1_GE3TR
SQ4425EY-T1_GE3-ND

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.