Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
Mosfet Array N and P-Channel 60V 3A, 2A 2W Surface Mount PG-DSO-8
Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | |
Производитель | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Тип крепления | Surface Mount | |
Пакет устройств поставщика | PG-DSO-8 | |
Базовый номер продукта | BSO612 | |
Пакет/кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
Ряд | SIPMOS® | |
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 3A, 2A | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 3A, 10V | |
Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 20µA | |
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 15.5nC @ 10V | |
Полевой транзистор | Стандартный | |
Тип полевого транзистора | N and P-Channel | |
Напряжение сток-исток (Vdss) | 60V | |
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 340pF @ 25V | |
Мощность - Макс. | 2W | |
Другие имена | BSO612CVGHUMA1TR BSO612CVGHUMA1DKR 2156-BSO612CVGHUMA1 BSO612CVXTINCT BSO612CVXTINCT-ND BSO612CVGXT BSO612CVXTINTR-ND BSO612CVT BSO612CVGINTR-ND BSO612CVGINTR BSO612CVGINDKR-ND BSO612CVGINCT-ND INFINFBSO612CVGHUMA1 BSO612CVGT BSO612CVXTINTR BSO612CVGHUMA1CT BSO612CVGINDKR BSO612CV G SP000216307 BSO612CVG BSO612CV G-ND |
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.