EPC2101

GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
НОВА часть #:
303-2247968-EPC2101
Производитель:
Номер детали производителя:
EPC2101
Стандартный пакет:
500
Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 9.5A, 38A - Surface Mount Die

More Information
КатегорияТранзисторы - FET, MOSFET - Массивы
ПроизводительEPC
RoHS 1
УпаковкаTape & Reel (TR)
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепленияSurface Mount
Пакет устройств поставщика Die
Пакет/кейсDie
РядeGaN®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C 9.5A, 38A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (макс.) @ Id 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
Полевой транзисторGaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистора2 N-Channel (Half Bridge)
Напряжение сток-исток (Vdss)60V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
Мощность - Макс. -
Другие имена917-1181-6
917-1181-2
917-1181-1

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!