SI4500BDY-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOIC
НОВА часть #:
303-2254144-SI4500BDY-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI4500BDY-T1-GE3
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 20V 6.6A, 3.8A 1.3W Surface Mount 8-SOIC

More Information
КатегорияТранзисторы - FET, MOSFET - Массивы
ПроизводительVishay Siliconix
RoHS 1
Тип крепленияSurface Mount
Пакет устройств поставщика 8-SOIC
Базовый номер продукта SI4500
Пакет/кейс8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ряд-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C 6.6A, 3.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 9.1A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ Id 1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs 17nC @ 4.5V
Полевой транзисторLogic Level Gate
Тип полевого транзистораN and P-Channel, Common Drain
Напряжение сток-исток (Vdss)20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds -
Мощность - Макс. 1.3W
Другие именаSI4500BDYT1GE3
SI4500BDY-T1-GE3DKR
SI4500BDY-T1-GE3TR
SI4500BDY-T1-GE3CT

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.