SI4966DY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
НОВА часть #:
303-2254918-SI4966DY-T1-E3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI4966DY-T1-E3
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V - 2W Surface Mount 8-SOIC

More Information
КатегорияТранзисторы - FET, MOSFET - Массивы
ПроизводительVishay Siliconix
RoHS 1
УпаковкаTape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепленияSurface Mount
Пакет устройств поставщика 8-SOIC
Базовый номер продукта SI4966
Пакет/кейс8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
РядTrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 7.1A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ Id 1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs 50nC @ 4.5V
Полевой транзисторLogic Level Gate
Тип полевого транзистора2 N-Channel (Dual)
Напряжение сток-исток (Vdss)20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds -
Мощность - Макс. 2W
Другие именаSI4966DY-T1-E3CT
SI4966DYT1E3
SI4966DY-T1-E3DKR
SI4966DY-T1-E3-ND
SI4966DY-T1-E3TR

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.