Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
SI5509DC-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
НОВА часть #:
303-2254322-SI5509DC-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI5509DC-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
Mosfet Array N and P-Channel 20V 6.1A, 4.8A 4.5W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 1206-8 ChipFET™ | |
| Базовый номер продукта | SI5509 | |
| Пакет/кейс | 8-SMD, Flat Lead | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 6.1A, 4.8A | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 5A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 6.6nC @ 5V | |
| Полевой транзистор | Logic Level Gate | |
| Тип полевого транзистора | N and P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 455pF @ 10V | |
| Мощность - Макс. | 4.5W |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.