BSM300D12P3E005

SILICON CARBIDE POWER MODULE. B
НОВА часть #:
303-2248925-BSM300D12P3E005
Производитель:
Номер детали производителя:
BSM300D12P3E005
Стандартный пакет:
4
Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 300A (Tc) 1260W (Tc) Chassis Mount Module

More Information
КатегорияТранзисторы - FET, MOSFET - Массивы
ПроизводительRohm Semiconductor
RoHS 1
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепленияChassis Mount
Пакет устройств поставщика Module
Базовый номер продукта BSM300
Пакет/кейсModule
Ряд-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs(th) (макс.) @ Id 5.6V @ 91mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs -
Полевой транзисторSilicon Carbide (SiC)
Тип полевого транзистора2 N-Channel (Half Bridge)
Напряжение сток-исток (Vdss)1200V (1.2kV)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 14000pF @ 10V
Мощность - Макс. 1260W (Tc)
Другие имена846-BSM300D12P3E005

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.